05控制线耦合强度

x-control 驱动强度为

\[ 2g_d=\frac{C_dV_d}{C_q+C_d}\sqrt{\frac{1}{2\hbar Z_q}} \]

其中， \(C_d\) 是微波驱动电容， \(V_d\) 是输入到芯片上的电压， \(Z_q\) 是比特的特征阻抗

\[ Z_q=\frac{1}{\omega_qC_q} \]

\(C_q\) 的计算参考[[02特征阻抗]]中的单位长度电容 \((1.2)\) ，长度按 \(4l_q\) 计算

\[ C_q=4l_qC_0=8l_q\epsilon_0 (\epsilon^{sub}_r+1) \frac{K(k)}{K(\sqrt{1-k^2})} \]

利用上式以及非谐性 \(\alpha=-E_C/\hbar=-e^2/(2C_q)/\hbar\) 可以计算出 bit 臂长

! 驱动强度一般 \(g_d/2\pi>50MHz\) ，可以在 10ns 内完成单次激发。（??? from wang th p40，未找到操作时间与 \(g_d\) 的关系）

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e.g. 计算驱动强度

取输出电压 0.4V ，线上衰减 -60dB ，驱动电容 50fF。

利用非谐性计算 bit 电容: 83.98971434530235
利用 bit 频率以及 cq 计算臂长: 128.30108068130002
计算驱动强度: 44.062910147476735